画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
BSS209PW - Infineon Technologies
- メーカー 部品型番
- BSS209PW
- Allelco 部品型番
- 32D-BSS209PW
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- SC-70, SOT-323
- データシート
- BSS209PW.pdf
- 在庫あり: 4140
BSS209PWの技術仕様
Infineon Technologies - BSS209PW技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSS209PW仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 3.5µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT323 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 580mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 520mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 89.9 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.38 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 580mA (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSS209PWと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSS209PW | BSS205NH6327XTSA1 | BSS209PW L6327 | BSS192PH6327 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.38 nC @ 4.5 V | 3.2 nC @ 4.5 V | 1.38 nC @ 4.5 V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 89.9 pF @ 15 V | 419 pF @ 10 V | 89.9 pF @ 15 V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 580mA (Ta) | 2.5A (Ta) | 580mA (Ta) | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - |
| Vgs（最大） | ±12V | ±12V | ±12V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 3.5µA | 1.2V @ 11µA | 1.2V @ 3.5µA | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 580mA, 4.5V | 50mOhm @ 2.5A, 4.5V | 550mOhm @ 580mA, 4.5V | - |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT323 | PG-SOT23 | PG-SOT323 | - |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-70, SOT-323 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | - |
| 電力消費（最大） | 520mW (Ta) | 500mW (Ta) | 300mW (Ta) | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
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BSS192PH6327InfineonBSS192PH6327FTSA1InfineonBSS205NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS205N L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS214NMSVBSS214N L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS205N H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS214NE6327BSS205NH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS209PWH6327XTSA1InfineonBSS205NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3BSS192P L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS209PWH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS209PWL6327 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS209PW H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS214N H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS192PL6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS209PW L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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