BSP316PL6327の技術仕様
Infineon Technologies - BSP316PL6327技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSP316PL6327仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 170µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4-21 | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.8Ohm @ 680mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 146 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.4 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 680mA (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSP316PL6327と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSP316PL6327 | BSP317PH6327XTSA1 | BSP317PE6327 | BSP316P H6327 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| シリーズ | SIPMOS® | Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® | SIPMOS® | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.8Ohm @ 680mA, 10V | 4Ohm @ 430mA, 10V | 4Ohm @ 430mA, 10V | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4-21 | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 250 V | 250 V | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.4 nC @ 10 V | 15.1 nC @ 10 V | 15.1 nC @ 10 V | - |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | - |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 146 pF @ 25 V | 262 pF @ 25 V | 262 pF @ 25 V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 680mA (Ta) | 430mA (Ta) | 430mA (Ta) | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 170µA | 2V @ 370µA | 2V @ 370µA | - |
BSP316P H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4BSP316PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP316 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP316PH6327XTSA1InfineonBSP317PH6327InfineonBSP318SiemensBSP316P L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP317P H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP316 L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP318SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP317PE6327Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4BSP317PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP316 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP317P L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP317Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP316P MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP316PH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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