BSP296E6327の技術仕様
Infineon Technologies - BSP296E6327技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSP296E6327仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.8V @ 400µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | |
シリーズ | SIPMOS® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 700mOhm @ 1.1A, 10V | |
電力消費(最大) | 1.79W (Ta) | |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 364 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17.2 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.1A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSP296E6327と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | BSP296E6327 | BSP297 E6327 | BSP295H6327XTSA1 | BSP295L6327 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
シリーズ | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 700mOhm @ 1.1A, 10V | 1.8Ohm @ 660mA, 10V | 300mOhm @ 1.8A, 10V | 300mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.8V @ 400µA | 1.8V @ 400µA | 1.8V @ 400µA | 1.8V @ 400µA |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.1A (Ta) | 660mA (Ta) | 1.8A (Ta) | 1.8A (Ta) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
電力消費(最大) | 1.79W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17.2 nC @ 10 V | 16.1 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | 200 V | 60 V | 60 V |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4-21 |
FET特長 | - | - | - | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 364 pF @ 25 V | 357 pF @ 25 V | 368 pF @ 25 V | 368 pF @ 25 V |
BSP296E6327 - Infineon TechnologiesのBSP296E6327 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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