BSP125 E6327の技術仕様
Infineon Technologies - BSP125 E6327技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSP125 E6327仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 94µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45Ohm @ 120mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 150 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.6 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120mA (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSP125 E6327と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSP125 E6327 | BSP125H6327XTSA1 | BSP126,115 | BSP125L6327 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Nexperia USA Inc. | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 150 pF @ 25 V | 150 pF @ 25 V | 120 pF @ 25 V | 150 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 250 V | 600 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 | SOT-223 | PG-SOT223-4-21 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.5W (Ta) | 1.8W (Ta) |
| シリーズ | SIPMOS® | SIPMOS® | - | SIPMOS® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120mA (Ta) | 120mA (Ta) | 375mA (Ta) | 120mA (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45Ohm @ 120mA, 10V | 45Ohm @ 120mA, 10V | 5Ohm @ 300mA, 10V | 45Ohm @ 120mA, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.6 nC @ 10 V | 6.6 nC @ 10 V | - | 6.6 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 94µA | 2.3V @ 94µA | 2V @ 1mA | 2.3V @ 94µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
BSP125 E6327 - Infineon TechnologiesのBSP125 E6327 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSP122Freescale / NXP SemiconductorsBSP123 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP123Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP125 L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP122 MOSFreescale / NXP SemiconductorsBSP122+115Freescale / NXP SemiconductorsBSP126 MOSFreescale / NXP SemiconductorsBSP126,115NXP USA Inc.MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4BSP126,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223BSP123 L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSP126LUMILEDSBSP125 H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP121Freescale / NXP SemiconductorsBSP124LUMILEDSBSP125L6327Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBSP125 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP125Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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