BSO612CVの技術仕様
Infineon Technologies - BSO612CV技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSO612CV仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 20µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 3A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 340pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15.5nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A, 2A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | BSO612 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSO612CVと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSO612CV | BSO350N03 | BSO615CGHUMA1 | BSO612CVG |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 20µA | 2V @ 6µA | 2V @ 20µA | 4V @ 20µA, 4V @ 450µA |
| 電力 - 最大 | 2W | 1.4W | 2W | 2W (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| シリーズ | SIPMOS® | OptiMOS™ | SIPMOS® | - |
| 基本製品番号 | BSO612 | BSO350N03 | BSO615 | - |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 | PG-DSO-8 | PG-DSO-8 | PG-DSO-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A, 2A | 5A | 3.1A, 2A | 3A (Ta), 2A (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 340pF @ 25V | 480pF @ 15V | 380pF @ 25V | 340pF, 400pF @ 25V |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 30V | 60V | 60V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15.5nC @ 10V | 3.7nC @ 5V | 22.5nC @ 10V | 15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 3A, 10V | 35mOhm @ 6A, 10V | 110mOhm @ 3.1A, 10V | 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V |
BSO612CV - Infineon TechnologiesのBSO612CV PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSO350N03Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSOBSO613BPVCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO613SPVInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSOBSO615CGHUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOICBSO4822Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12.7A 8SOBSO4420Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SO
BSO612VVBsemiBSO3917Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO4410Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
BSO613SPVGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 8-SOICBSO613SPVGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO612CVGInfineon TechnologiesBSO612 - 20V-60V COMPLEMENTARY MBSO315CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO330N02KGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBSO604NS2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO615CGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 8-SOICBSO350N3BSO4804Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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