BSD223PH6327XTSA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSD223PH6327XTSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSD223PH6327XTSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 1.5µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT363-6-1 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 250mW | |
| パッケージ/ケース | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 56pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.62nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 390mA | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | BSD223 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSD223PH6327XTSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSD223PH6327XTSA1 | BSD223P L6327 | BSD223P | BSD235CH6327XTSA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | 20V |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | BSD223 | BSD223 | BSD223 | BSD235 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 1.5µA | 1.2V @ 1.5µA | 1.2V @ 1.5µA | 1.2V @ 1.6µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 56pF @ 15V | 56pF @ 15V | 56pF @ 15V | 47pF @ 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 390mA | 390mA | 390mA | 950mA, 530mA |
| 電力 - 最大 | 250mW | 250mW | 250mW | 500mW |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.62nC @ 4.5V | 0.62nC @ 4.5V | 0.62nC @ 4.5V | 0.34nC @ 4.5V |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| パッケージ/ケース | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V | 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V | 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V | 350mOhm @ 950mA, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT363-6-1 | PG-SOT363-PO | PG-SOT363-PO | PG-SOT363-6-1 |
BSD223PH6327XTSA1 - Infineon TechnologiesのBSD223PH6327XTSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSD235NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSD223PL6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSD223P L6327Infineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363BSD235N H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSD235CBSD12-48S05BOSHIDAIGBT ModuleBSD223P H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSD235NH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSD223PInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363BSD235C H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSD235CH6327CCSEMIBSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V SOT363BSD214SNINFBSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363BSD235CL6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSD223P Q67042Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSD12-24S05BOSHIDAIGBT ModuleBSD223PH6327SOT23| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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