BAS170WE6327HTSA1の技術仕様
Infineon Technologies - BAS170WE6327HTSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BAS170WE6327HTSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 15 mA | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 70 V | |
| 技術 | Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOD323-3D | |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 100 ps |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | SC-76, SOD-323 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 nA @ 50 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 70mA | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | BAS170 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BAS170WE6327HTSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BAS170WE6327HTSA1 | BAS170WS-E3-18 | BAS16_R1_00001 | BAS19-7 |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Panjit International Inc. | Diodes Incorporated |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 15 mA | 1 V @ 15 mA | 855 mV @ 10 mA | 1.25 V @ 200 mA |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 70mA | 70mA | 250mA | 200mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 70 V | 70 V | 75 V | 100 V |
| Vrと、F @キャパシタンス | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | BAS170 | BAS170 | BAS16 | BAS19 |
| パッケージ/ケース | SC-76, SOD-323 | SC-76, SOD-323 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 逆回復時間（trrの） | 100 ps | - | 6 ns | 50 ns |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | Schottky | Schottky | Standard | Standard |
| 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) | -55°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOD323-3D | SOD-323 | SOT-23 | SOT-23-3 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 nA @ 50 V | 10 µA @ 70 V | 1 µA @ 75 V | 100 nA @ 100 V |
BAS170WE6327HTSA1 - Infineon TechnologiesのBAS170WE6327HTSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BAS170WS-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
BAS170WE6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS16_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23BAS19-7Diodes IncorporatedDIODE GP 100V 200MA SOT23-3
BAS16X 8K/RBAS170WS-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323BAS170WCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS19 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS170W E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BAS16XV2T5GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523BAS19-7-FDiodes IncorporatedDIODE GP 100V 200MA SOT23-3
BAS16WX-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 100MA SOD323BAS170WS-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
BAS16XYangjie TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523BAS16XLT1LRCBAS170WS-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323BAS16XV2T1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
BAS170WS-V-GS08Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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