AUIRFL024Nの技術仕様
Infineon Technologies - AUIRFL024N技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - AUIRFL024N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 2.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.3 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.8A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies AUIRFL024Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | AUIRFL024N | AUIRFN7107TR | AUIRFN7110TR | AUIRFL014N |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 25 V | 3001 pF @ 25 V | 3050 pF @ 25 V | 190 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | TO-261-4, TO-261AA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | 4.4W (Ta), 125W (Tc) | 4.3W (Ta), 125W (Tc) | 1W (Ta) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.8A (Ta) | 14A (Ta), 75A (Tc) | 58A (Tc) | 1.5A (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 2.8A, 10V | 8.5mOhm @ 45A, 10V | 14.5mOhm @ 35A, 10V | 160mOhm @ 1.9A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.3 nC @ 10 V | 77 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | SOT-223 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 75 V | 100 V | 55 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | HEXFET® |
AUIRFL024N - Infineon TechnologiesのAUIRFL024N PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
AUIRFN7107TRInfineon TechnologiesAUIRFN7107 - 75V-100V N-CHANNEL
AUIRFIZ44NPBFIRAUIRFN8458TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFNAUIRFN7110TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 58A 8PQFNAUIRFI3205PBFIRAUIRFL014NTRPBFIRAUIRFL014NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223AUIRFBA1405 MOSIRAUIRFI4905IRAUIRFIZ34NPBFIRAUIRFN8403TRInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 95A TDSON-8-10AUIRFL024N MOSIRAUIRFL024NTRInternational RectifierAUIRFL024 - 55V-60V N-CHANNEL AUAUIRFI3205IRAUIRFN8401TRInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFETAUIRFL014NTRInternational RectifierAUTOMOTIVE POWER MOSFETAUIRFN8405TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 95A PQFNAUIRFIZ44NIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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