AUIRFB8409の技術仕様
Infineon Technologies - AUIRFB8409技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - AUIRFB8409仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.9V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 100A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14240 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 450 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) | |
| 基本製品番号 | AUIRFB8409 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies AUIRFB8409と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | AUIRFB8409 | AUIRFB3207 | AUIRFBA1405 | AUIRFB8405 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 基本製品番号 | AUIRFB8409 | - | - | AUIRFB8405 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14240 pF @ 25 V | 7600 pF @ 50 V | 5480 pF @ 25 V | 5193 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 75 V | 55 V | 40 V |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | 300W (Tc) | 330W (Tc) | 163W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) | 75A (Tc) | 95A (Tc) | 120A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.9V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3.9V @ 100µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 100A, 10V | 4.5mOhm @ 75A, 10V | 5mOhm @ 101A, 10V | 2.5mOhm @ 100A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-273AA | TO-220-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 450 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 161 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | SUPER-220™ (TO-273AA) | TO-220AB |
AUIRFB8409 - Infineon TechnologiesのAUIRFB8409 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
AUIRFI3205IRAUIRFB3207Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 75A TO220ABAUIRFIZ34NPBFIRAUIRFBA1405Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220AUIRF9952QTR.IRAUIRF9952QTRPBFVBSEMIAUIRFI3205PBFIRAUIRFB8405Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 120A TO220ABAUIRFI4905IRAUIRFBA1405 MOSIR
AUIRFL014NTRInternational RectifierAUTOMOTIVE POWER MOSFETAUIRFB4410International RectifierAUIRFB4410 - 75V-100V N-CHANNELAUIRFB4115IRAUIRFB4610International RectifierAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
AUIRFL014NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223AUIRFB4410 MOSIRAUIRF9Z34NInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P CHANNELAUIRFB8407Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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