AUIRF7478QTRの技術仕様
Infineon Technologies - AUIRF7478QTR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - AUIRF7478QTR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 4.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1740 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 31 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies AUIRF7478QTRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | AUIRF7478QTR | AUIRF7484QTR | AUIRF7738L2TR | AUIRF7736M2TR |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | International Rectifier | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 150µA |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta) | 14A (Ta) | 35A (Ta), 130A (Tc) | 22A (Ta), 108A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 4.2A, 10V | 10mOhm @ 14A, 7V | 1.6mOhm @ 109A, 10V | 3mOhm @ 65A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1740 pF @ 25 V | 3520 pF @ 25 V | 7471 pF @ 25 V | 4267 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±8V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 7V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | DIRECTFET L6 | DirectFET™ Isometric M4 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 31 nC @ 4.5 V | 100 nC @ 7 V | 194 nC @ 10 V | 108 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 3.3W (Ta), 94W (Tc) | 2.5W (Ta), 63W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | DirectFET™ Isometric L6 | DirectFET™ Isometric M4 |
AUIRF7478QTR - Infineon TechnologiesのAUIRF7478QTR PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
AUIRF7484Q MOSIRAUIRF7484QTRInternational RectifierAUTOMOTIVE N CHANNELAUIRF7343QTR.IRAUIRF7738L2TRInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 35A/130A DIRECTAUIRF7379QInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOICAUIRF7343QTRInternational RectifierAUIRF7343Q - 30V-55V DUAL N ANDAUIRF7379Q MOSIRAUIRF7379QTRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SOAUIRF7342QTRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOICAUIRF7343QTRPBFIRAUIRF7342QTRPBFIRAUIRF7736M2TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
AUIRF7732S2TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SCAUIRF7416QTRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 10A 8SOAUIRF7737L2TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFETAUIRF7665S2TRInternational RectifierAUTOMOTIVE DIRECTFET N CHANNELAUIRF7675M2TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFETAUIRF7478QTRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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