AUIRF5210STRLの技術仕様
Infineon Technologies - AUIRF5210STRL技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - AUIRF5210STRL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 38A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 170W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2780 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 230 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) | |
| 基本製品番号 | AUIRF5210 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies AUIRF5210STRLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | AUIRF5210STRL | AUIRF4104 | AUIRF4905STRL | AUIRF6215S |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 170W (Tc) | 140W (Tc) | 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2780 pF @ 25 V | 3000 pF @ 25 V | 3500 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 38A, 10V | 5.5mOhm @ 75A, 10V | 20mOhm @ 42A, 10V | 290mOhm @ 6.6A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) | 75A (Tc) | 42A (Tc) | 13A (Tc) |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | HEXFET® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 230 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | AUIRF5210 | - | AUIRF4905 | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | TO-220 | PG-TO263-3 | D2PAK |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 40 V | 55 V | 150 V |
AUIRF5210STRL - Infineon TechnologiesのAUIRF5210STRL PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
AUIRF4104Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220
AUIRF540ZSPBFIRAUIRF4905STRLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 42A D2PAKAUIRF6215SInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
AUIRF4905International RectifierAUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
AUIRF6215Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A TO220ABAUIRF5210SInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 38A D2PAKAUIRF6215 MOSIR
AUIRF540ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A D2PAKAUIRF6218SInternational RectifierAUIRF6218 - 20V-150V P-CHANNEL AAUIRF4104SInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 75A D2PAKAUIRF4905SInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 42A D2PAKAUIRF4905PBFIRAUIRF3808SInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 106A D2PAKAUIRF3808International RectifierAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNELAUIRF540ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A TO220ABAUIRF4104 MOSIRAUIRF540ZPBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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