6ED003L06F2XUMA1の技術仕様
Infineon Technologies - 6ED003L06F2XUMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - 6ED003L06F2XUMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 13V ~ 17.5V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-28 | |
| シリーズ | EiceDriver™ | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 60ns, 26ns | |
| パッケージ/ケース | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 6 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.1V, 1.7V | |
| 入力タイプ | Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 620 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | - | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | 3-Phase | |
| 基本製品番号 | 6ED003 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies 6ED003L06F2XUMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 6ED003L06F2XUMA1 | LM5112SD | 6EDL04I06NTXUMA1 | 6EDL04I06PTXUMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Texas Instruments | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Low-Side | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 入力周波数 | 6 | 1 | 6 | 6 |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 60ns, 26ns | 14ns, 12ns | 60ns, 26ns | 60ns, 26ns |
| シリーズ | EiceDriver™ | - | EiceDriver™ | EiceDriver™ |
| 基本製品番号 | 6ED003 | LM5112 | 6EDL04 | 6EDL04 |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 620 V | - | 600 V | 600 V |
| 入力タイプ | Inverting | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | - | 3A, 7A | - | - |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.1V, 1.7V | 0.8V, 2.3V | 1.1V, 1.7V | 1.1V, 1.7V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-28 | 6-WSON (3x3) | PG-DSO-28-17 | PG-DSO-28 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | 6-WDFN Exposed Pad | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 電源電圧 - | 13V ~ 17.5V | 3.5V ~ 14V | 13V ~ 17.5V | 13V ~ 17.5V |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | 3-Phase | Single | 3-Phase | 3-Phase |
6ED003L06F2XUMA1 - Infineon Technologiesの6ED003L06F2XUMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
6ED003L02-F2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
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6EDL04N02PRXUMA1Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP6ED003L06-F2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
NCP81381MNTXGonsemiIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 36QFN6ED003L06-FCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
TPS28225TDRBRQ1Texas InstrumentsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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