2ED020I12FAの技術仕様
Infineon Technologies - 2ED020I12FA技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - 2ED020I12FA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 13V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-36 | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 30ns, 50ns | |
| パッケージ/ケース | 36-BSSOP (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TA) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.5V, 3.5V | |
| 入力タイプ | Inverting, Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 1200 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 2.4A, 2.4A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | 2ED020 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies 2ED020I12FAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 2ED020I12FA | 2ED21084S06JXUMA1 | 2ED020I12FIXUMA1 | 2ED21824S06JXUMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Synchronous | Independent | Synchronous |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 1200 V | 650 V | 1200 V | 650 V |
| 基本製品番号 | 2ED020 | 2ED21084 | 2ED020 | 2ED21824 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 入力タイプ | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting | Inverting | Non-Inverting |
| パッケージ/ケース | 36-BSSOP (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TA) |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 2.4A, 2.4A | 290mA, 700mA | 1A, 2A | 2.5A, 2.5A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電源電圧 - | 13V ~ 20V | 10V ~ 20V | 14V ~ 18V | 10V ~ 20V |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 30ns, 50ns | 100ns, 35ns | 20ns, 20ns | 15ns, 15ns |
| 入力周波数 | 2 | 1 | 2 | 1 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-36 | PG-DSO-14-49 | PG-DSO-18-2 | PG-DSO-14-49 |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.5V, 3.5V | 1.1V, 1.7V | 0.8V, 2V | 1.1V, 1.7V |
2ED020112FANA
2ED020I06-FICypress Semiconductor (Infineon Technologies)2ED2181S06FCypress Semiconductor (Infineon Technologies)2ED21084S06JXUMA1Infineon TechnologiesIC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V2ED020I12F2INF2ED020I12FIXUMA1Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-22ED020I12-FICypress Semiconductor (Infineon Technologies)2ED020I12-F2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module2ED21824S06JXUMA1Infineon TechnologiesIC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V2ED020I12-FInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-22ED21844S07JXUMA1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)2ED300C17-SCONCEPTIGBT Module2ED2184S06FCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
2ED020I12F2XUMA1Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO36-582ED21824S06JCypress Semiconductor (Infineon Technologies)2ED020I12-FACypress Semiconductor (Infineon Technologies)2ED2304S06FCypress Semiconductor (Infineon Technologies)2ED2106S06FCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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