画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
1EDN7550B - Infineon Technologies
- メーカー 部品型番
- 1EDN7550B
- Allelco 部品型番
- 32D-1EDN7550B
- ECADモデル
- モデルの説明
- 1EDN7550 - GATE DRIVER
- 詳細な説明
- パッケージ
- SOT-23-6
- 在庫あり: 7930
1EDN7550Bの技術仕様
Infineon Technologies - 1EDN7550B技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - 1EDN7550B仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23-6-3 | |
| シリーズ | EiceDriver™ | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 6.5ns, 4.5ns | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | |
| 入力タイプ | Inverting, Non-Inverting | |
| ゲートタイプ | N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | High-Side and Low-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4A, 8A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | |
| 基本製品番号 | 1EDN7550 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies 1EDN7550Bと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1EDN7550B | 1EDN8511B | 1EDN8511BXUSA1 | 1EDN7511BXUSA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23-6-3 | PG-SOT23-6-2 | PG-SOT23-6-2 | PG-SOT23-6-2 |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 6.5ns, 4.5ns | 6.5ns, 4.5ns | 6.5ns, 4.5ns | 6.5ns, 4.5ns |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 1 | 1 |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | 1EDN7550 | 1EDN8511 | 1EDN8511 | 1EDN7511 |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | 1.2V, 1.9V | 1.2V, 1.9V | 1.2V, 1.9V |
| シリーズ | EiceDriver™ | EiceDriver™ | EiceDriver™ | EiceDriver™ |
| ゲートタイプ | N-Channel, P-Channel MOSFET | N-Channel, P-Channel MOSFET | N-Channel, P-Channel MOSFET | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | High-Side and Low-Side | Low-Side | Half-Bridge, Low-Side | Half-Bridge, Low-Side |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4A, 8A | 4A, 8A | 4A, 8A | 4A, 8A |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力タイプ | Inverting, Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | Single | Single | Single |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 20V | 4.5V ~ 20V | 8V ~ 20V | 4.5V ~ 20V |
1EDN7550B - Infineon Technologiesの1EDN7550B PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
1EDN8511BInfineon Technologies1EDN8511 - GATE DRIVER
1EDN7511BCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
1EDI30I12MFXUMA1Infineon TechnologiesIC IGBT DVR 1200V DSO81EDI60H12AHCypress Semiconductor (Infineon Technologies)1EDN7512BCypress Semiconductor (Infineon Technologies)1EDN8511BXUSA1Infineon TechnologiesIC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-61EDI30I12MHCypress Semiconductor (Infineon Technologies)1EDI30I12MFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
1EDS20I12SVXUMA1Infineon TechnologiesIC GATE DRIVER HVIC DSO361EDI40I12AFXUMA1Infineon TechnologiesIC IGBT DVR 1200V DSO81EDI60N12AFXUMA1Infineon TechnologiesIC IGBT DVR 1200V DSO81EDI60I12AFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)1EDI60N12AFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)1EDI20N12AFXUMA1Infineon TechnologiesIC IGBT DVR 1200V DSO81EDN7511BXUSA1Infineon TechnologiesIC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6
1EDN7512BXTSA1Infineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-51EDI20N12AFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)1EDI40I12AFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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