DB106-Gの技術仕様
Comchip Technology - DB106-G技術仕様、属性、パラメーター、およびComchip Technology - DB106-G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Comchip Technology | |
| 電圧 - ピーク逆（最大） | 800 V | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 1 A | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DB | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ダイオードタイプ | Single Phase | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 800 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1 A | |
| 基本製品番号 | DB106 |
右側の三つのパーツはComchip Technology DB106-Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DB106-G | DB106S | DB107S | DB106S |
| メーカー | Comchip Technology | Yangjie Technology | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Rectron USA |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電圧 - ピーク逆（最大） | 800 V | - | 1 kV | 800 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 1 A | - | 1 V @ 500 mA | 1 V @ 1 A |
| シリーズ | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | DB | - | DBS | DB-S |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | DB106 | - | - | - |
| 技術 | Standard | - | Standard | Standard |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 800 V | - | 5 µA @ 1000 V | 1 µA @ 800 V |
| パッケージ/ケース | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | - | 4-SMD, Gull Wing | 4-SMD, Gull Wing |
| ダイオードタイプ | Single Phase | - | Single Phase | Single Phase |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1 A | - | 1 A | 1 A |
| 装着タイプ | Through Hole | - | Surface Mount | Surface Mount |
DB106-G - Comchip TechnologyのDB106-G PDFデータテーブルとComchip Technologyドキュメントをダウンロード
DB106SYangjie TechnologyDBS 800V 1.0A Diodes Bridge ReDB107SYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 1A DBSDB106SRectron USABRIDGE RECT 800V 1A DB-S
DB107-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-1DB105SYangjie TechnologyDBS 600V 1.0A Diodes Bridge Re
DB104S-TRectron USA
DB105GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBDB106GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
DB105G C1Taiwan SemiconductorDB107GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
DB105SRectron USABRIDGE RECT 600V 1A DB-SDB106SSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-SDB104S-T-WSRectron USADB105LS-TRectron USADB105SSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-SDB105S-TGWILLAS
DB106S-47L-2Diodes IncorporatedDB105S-TRectron USA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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