B10S-Gの技術仕様
Comchip Technology - B10S-G技術仕様、属性、パラメーター、およびComchip Technology - B10S-G仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Comchip Technology | |
電圧 - ピーク逆(最大) | 1 kV | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 800 mA | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | MBS | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | TO-269AA, 4-BESOP |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
ダイオードタイプ | Single Phase | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 1000 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 800 mA | |
基本製品番号 | B10S |
右側の三つのパーツはComchip Technology B10S-Gと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | B10S-G | B10S_R2_00001 | B10B-XH-AM | B10S-R2-00001 |
メーカー | Comchip Technology | Panjit International Inc. | JST | PANJIT |
技術 | Standard | Standard | - | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
ダイオードタイプ | Single Phase | Single Phase | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
電流 - 平均整流(イオ) | 800 mA | 800 mA | - | - |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | - | - |
基本製品番号 | B10S | B10S | - | - |
電圧 - ピーク逆(最大) | 1 kV | 1 kV | - | - |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 800 mA | 1 V @ 500 mA | - | - |
シリーズ | - | B1S | - | - |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
パッケージ/ケース | TO-269AA, 4-BESOP | 4-SMD, Gull Wing | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | MBS | 4-MDI | - | - |
B10S-G - Comchip TechnologyのB10S-G PDFデータテーブルとComchip Technologyドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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