2N3563の技術仕様
Central Semiconductor Corp - 2N3563技術仕様、属性、パラメーター、およびCentral Semiconductor Corp - 2N3563仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Central Semiconductor | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 12 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | - | |
トランジスタ型式 | NPN | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-106 | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | TO-106-3 Domed |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | 600MHz | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 20 @ 8mA, 10V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 50nA (ICBO) |
右側の三つのパーツはCentral Semiconductor Corp 2N3563と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | 2N3563 | 2N3501 | 2N3507 | 2N3585 |
メーカー | Central Semiconductor Corp | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
トランジスタ型式 | NPN | NPN | NPN | NPN |
シリーズ | - | - | - | - |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | - | 400mV @ 15mA, 150mA | 1.5V @ 250mA, 2.5A | 750mV @ 125mA, 1A |
パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-106 | TO-39 (TO-205AD) | TO-39 | TO-66 |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 50nA (ICBO) | 10µA (ICBO) | 1µA | 5mA |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 20 @ 8mA, 10V | 100 @ 150mA, 10V | 35 @ 500mA, 1V | 25 @ 1A, 1V |
パッケージ/ケース | TO-106-3 Domed | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-213AA, TO-66-2 |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 12 V | 150 V | 50 V | 300 V |
周波数 - トランジション | 600MHz | - | - | - |
運転温度 | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) |
2N3563 - Central Semiconductor Corpの2N3563 PDFデータテーブルとCentral Semiconductor Corpドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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