2N3250の技術仕様
Central Semiconductor - 2N3250技術仕様、属性、パラメーター、およびCentral Semiconductor - 2N3250仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Central Semiconductor | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 40V | |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 500mV @ 5mA, 50mA | |
| トランジスタ型式 | PNP | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 360mW | |
| パッケージング | Bulk | |
| パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | |
| 他の名前 | 2N3250 LEAD FREE 2N3250 PBFREE |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| 周波数 - トランジション | 250MHz | |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 360mW Through Hole TO-18 | |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 50 @ 10mA, 1V | |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | - | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 200mA |
右側の三つのパーツはCentral Semiconductor 2N3250と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 2N3250 | 2N3302 | 2N3117 | 2N3250A |
| メーカー | Central Semiconductor | Microchip Technology | Central Semiconductor | Microchip Technology |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | Lead free / RoHS Compliant | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 200mA | - | 50mA | 200 mA |
| 装着タイプ | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | 1 (Unlimited) | - |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 360mW Through Hole TO-18 | - | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 | - |
| パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | - | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 周波数 - トランジション | 250MHz | - | - | - |
| メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks | - | 16 Weeks | - |
| シリーズ | - | * | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 | - | TO-18 | TO-39 (TO-205AD) |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | - | - | 10nA (ICBO) | 10µA (ICBO) |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 500mV @ 5mA, 50mA | - | 350mV @ 100µA, 1mA | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 50 @ 10mA, 1V | - | 250 @ 10µA, 5V | 50 @ 10mA, 1V |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 40V | - | 60V | 60 V |
| 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| トランジスタ型式 | PNP | - | NPN | PNP |
| 他の名前 | 2N3250 LEAD FREE 2N3250 PBFREE |
- | 2N3117 LEAD FREE 2N3117 PBFREE |
- |
| パッケージング | Bulk | - | Bulk | - |
| 電力 - 最大 | 360mW | - | 360mW | 360 mW |
2N3250 - Central Semiconductorの2N3250 PDFデータテーブルとCentral Semiconductorドキュメントをダウンロード
2N3302Microchip TechnologySMALL-SIGNAL BJT2N3117Central SemiconductorTRANS NPN 60V 0.05A TO-18
2N3114Amphenol SSI Technologies2N3250AMicrochip TechnologyTRANS PNP 60V 0.2A TO39
2N3209STMicroelectronics2N3251AMicrosemi CorporationTRANS PNP 60V 0.2A TO39
2N3265MOTOROLAIGBT Module2N3110Solid State Inc.TRANS NPN 40V 1A TO39
2N3108onsemiTRANS NPN 60V TO392N3117AMI Semiconductor / ON SemiconductorDIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 60V
2N3107Powerex, Inc.IGBT Module
2N3391AonsemiTRANS NPN 25V 0.5A TO92-32N3227MOT
2N3391AFairchild SemiconductorTRANS NPN 25V 0.5A TO92-32N3251Amphenol SSI Technologies2N3375MOTOROLAIGBT Module
2N3266MicrosemiIGBT Module2N3150MSCIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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