DS1250Y-100の技術仕様
Analog Devices Inc./Maxim Integrated - DS1250Y-100技術仕様、属性、パラメーター、およびAnalog Devices Inc./Maxim Integrated - DS1250Y-100仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Maxim Integrated | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 100ns | |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 5.5V | |
| 技術 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 32-EDIP | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 32-DIP Module (0.600', 15.24mm) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| メモリタイプ | Non-Volatile | |
| 記憶容量 | 4Mbit | |
| メモリ組織 | 512K x 8 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | NVSRAM | |
| 基本製品番号 | DS1250Y | |
| アクセス時間 | 100 ns |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
右側の三つのパーツはAnalog Devices Inc./Maxim Integrated DS1250Y-100と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DS1250Y-100 | DS1250Y-70 | DS1250AB-70IND | DS1250W-100IND+ |
| メーカー | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| アクセス時間 | 100 ns | 70 ns | 70 ns | 100 ns |
| 技術 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 100ns | 70ns | 70ns | 100ns |
| 基本製品番号 | DS1250Y | DS1250Y | DS1250AB | DS1250W |
| パッケージ/ケース | 32-DIP Module (0.600', 15.24mm) | 32-DIP Module (0.600', 15.24mm) | 32-DIP Module (0.600', 15.24mm) | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.75V ~ 5.25V | 3V ~ 3.6V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 32-EDIP | 32-EDIP | 32-EDIP | 32-EDIP |
| 記憶容量 | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit |
| メモリ形式 | NVSRAM | NVSRAM | NVSRAM | NVSRAM |
| メモリ組織 | 512K x 8 | 512K x 8 | 512K x 8 | 512K x 8 |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| メモリタイプ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
DS1250Y-100 - Analog Devices Inc./Maxim IntegratedのDS1250Y-100 PDFデータテーブルとAnalog Devices Inc./Maxim Integratedドキュメントをダウンロード
DS1250Y-70Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPDS1250AB-70INDAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPDS1250W-100IND+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-070DALLASDS1250AB-100Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPDS1251W-120IND+DS1250Y-70IND+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPDS1250Y-070 ETDALLASDS1250Y-150DALLAS/MAXIMDS1250Y-100+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPDS1250W-150+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250WP-150Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAPDS1250YP-70Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAPDS1250Y-70+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPDS1250W-150Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPDS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPDS1251W-120Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC RTC PHANTOM CHIP PAR 32EDIPDS1250Y-70INDAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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