STD25P03LT4Gの技術仕様
onsemi - STD25P03LT4G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - STD25P03LT4G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±15V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 25A, 5V | |
| 電力消費（最大） | - | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1260 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD25 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi STD25P03LT4Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD25P03LT4G | STD25NF10LT4 | STD25NF10LA | STD26NF10 |
| メーカー | onsemi | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 5 V | 52 nC @ 5 V | 52 nC @ 5 V | 55 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1260 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V | 1550 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | DPAK | DPAK |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±15V | ±16V | ±16V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | - | STripFET™ II | STripFET™ II | STripFET™ II |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 基本製品番号 | STD25 | STD25 | STD25 | STD26 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 25A, 5V | 35mOhm @ 12.5A, 10V | 35mOhm @ 12.5A, 10V | 38mOhm @ 12.5A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | - | 100W (Tc) | 100W (Tc) | 100W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
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STD25P03LT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiSTD25NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 25A DPAKSTD26NF10LSTMicroelectronicsSTD26P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 12A DPAKSTD26NF10 MOSSTMicroelectronics
STD26NF10T4Electro-Films (EFI) / VishaySTD27GK08BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD25NF10LT4 MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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