画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
RFP40N10 - onsemi
- メーカー 部品型番
- RFP40N10
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-RFP40N10
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- 在庫あり: 5030
RFP40N10の技術仕様
onsemi - RFP40N10技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - RFP40N10仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 160W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | |
| 基本製品番号 | RFP40 |
右側の三つのパーツはonsemi RFP40N10と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RFP40N10 | RFP30P06 | RFP30N06LE | RFP45N06 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 5V | 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | RFP40 | RFP30 | RFP30 | RFP45 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 20 V | 170 nC @ 20 V | 62 nC @ 10 V | 150 nC @ 20 V |
| 電力消費（最大） | 160W (Tc) | - | 96W (Tc) | 131W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 40A, 10V | 65mOhm @ 30A, 10V | 47mOhm @ 30A, 5V | 28mOhm @ 45A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vgs（最大） | ±20V | - | +10V, -8V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Ta) | 45A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
RFP40N10 - onsemiのRFP40N10 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
RFP47N10Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP30P06onsemiMOSFET P-CH 60V 30A TO220-3
RFP4N06LVBSEMIRFP30N06LEonsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
RFP45N06 MOSFairchild (onsemi)RFP30N05RFP45N06onsemiMOSFET N-CH 60V 45A TO220-3RFP45N06Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 45A TO220-3RFP30P05onsemiMOSFET P-CH 50V 30A TO220-3RFP4N05LFairchild Semiconductor4A, 50V, 0.8OHM, N-CHANNEL MOSFERFP3055LE MOSFairchild (onsemi)RFP4N100onsemiMOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3RFP30N06EFairchild (onsemi)RFP3055LEonsemiMOSFET N-CH 60V 11A TO220-3RFP50N05Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFP4N05LS2515RFP3055onsemiMOSFET N-CH 60V 12A TO220-3RFP2N20LFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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