画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
RFD3055LESM - onsemi
- メーカー 部品型番
- RFD3055LESM
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-RFD3055LESM
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 在庫あり: 4470
RFD3055LESMの技術仕様
onsemi - RFD3055LESM技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - RFD3055LESM仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 107mOhm @ 8A, 5V | |
| 電力消費（最大） | 38W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | |
| 基本製品番号 | RFD30 |
右側の三つのパーツはonsemi RFD3055LESMと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RFD3055LESM | RFD3055LESM | RFD3055 | RFD3055LESM9A |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | onsemi |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | 5V | - | 5V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 107mOhm @ 8A, 5V | 107mOhm @ 8A, 5V | 150mOhm @ 12A, 10V | 107mOhm @ 8A, 5V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 12A (Tc) | 11A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±20V | ±16V |
| 電力消費（最大） | 38W (Tc) | 38W (Tc) | 53W (Tc) | 38W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 基本製品番号 | RFD30 | - | - | RFD3055 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11.3 nC @ 10 V | 11.3 nC @ 10 V | 23 nC @ 20 V | 11.3 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | I-PAK | TO-252AA |
RFD3055LESM - onsemiのRFD3055LESM PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
RFD3055LESMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 11A TO252AARFD3055Harris CorporationMOSFET N-CH 60V 12A IPAKRFD3055LESM9AonsemiMOSFET N-CH 60V 11A TO252AARFD3055SM9AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 12A TO252AARFD3055 MOSFairchild (onsemi)RFD3055LESM9AS2568Fairchild (onsemi)
RFD3055LESM9A MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFD3055SM9AonsemiMOSFET N-CH 60V 12A TO252AARFD3055LESM9AHarris CorporationMOSFET N-CH 60V 11A TO252AARFD3055LHAR
RFD21731RF DigitalMODULE RF TXRX LONG RANGE 15MM
RFD22301RF DigitalRF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANTRFD3055Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 12A IPAKRFD3055SMonsemiMOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
RFD3055onsemiMOSFET N-CH 60V 12A IPAKRFD3055LESM9A/7899Fairchild (onsemi)RFD3055LEonsemiMOSFET N-CH 60V 11A IPAKRFD3055LE MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。