QVE00118の技術仕様
onsemi - QVE00118技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - QVE00118仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | |
タイプ | Unamplified | |
シリーズ | - | |
検出方法 | Through-Beam | |
検出距離 | 0.197" (5mm) | |
反応時間 | 4µs, 4µs | |
パッケージ/ケース | Module, PC Pins, Slot Type |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Tube | |
出力構成 | Phototransistor | |
運転温度 | -55°C ~ 100°C | |
装着タイプ | Through Hole | |
電流 - DC順方向(If)(最大) | 60 mA | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 20 mA | |
基本製品番号 | QVE001 |
右側の三つのパーツはonsemi QVE00118と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | QVE00118 | TCPT1350X01 | ITR20403 | TCST1103 |
メーカー | onsemi | Vishay Semiconductor Opto Division | Everlight Electronics Co Ltd | Vishay Semiconductor Opto Division |
検出距離 | 0.197" (5mm) | 0.118' (3mm) | 0.118' (3mm) | 0.122" (3.1mm) |
シリーズ | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 20 mA | 20 mA | 20 mA | 4 mA |
基本製品番号 | QVE001 | TCPT1350 | - | TCST1103 |
装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
電流 - DC順方向(If)(最大) | 60 mA | 15 mA | 50 mA | 60 mA |
パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
出力構成 | Phototransistor | Phototransistor | - | Phototransistor |
検出方法 | Through-Beam | Through-Beam | Through-Beam | Through-Beam |
反応時間 | 4µs, 4µs | 9µs, 16µs | 15µs | 10µs, 8µs |
運転温度 | -55°C ~ 100°C | -40°C ~ 125°C | -25°C ~ 85°C | -55°C ~ 85°C |
パッケージ/ケース | Module, PC Pins, Slot Type | Module, Slotted | Slotted Module | Slotted Module, 4-Lead Dual Row |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | 20 V | 30 V | 70 V |
タイプ | Unamplified | Unamplified | Unamplified | Unamplified |
QVE00118 - onsemiのQVE00118 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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