QVA21114の技術仕様
onsemi - QVA21114技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - QVA21114仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | |
タイプ | Unamplified | |
シリーズ | QVA | |
検出方法 | Through-Beam | |
検出距離 | 0.125" (3.18mm) | |
反応時間 | - |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | Module, PC Pins, Slot Type | |
パッケージ | Tube | |
出力構成 | Phototransistor | |
運転温度 | -40°C ~ 85°C | |
装着タイプ | Through Hole | |
電流 - DC順方向(If)(最大) | 50 mA | |
基本製品番号 | QVA211 |
右側の三つのパーツはonsemi QVA21114と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | QVA21114 | EE-SX1025 | TCST1300 | GP1S59J0000F |
メーカー | onsemi | Omron Electronics Inc-EMC Div | Vishay Semiconductor Opto Division | SHARP/Socle Technology |
シリーズ | QVA | - | - | - |
タイプ | Unamplified | Unamplified | Unamplified | Unamplified |
基本製品番号 | QVA211 | - | TCST1300 | - |
反応時間 | - | 4µs, 4µs | 10µs, 8µs | 3µs, 4µs |
電流 - DC順方向(If)(最大) | 50 mA | 50 mA | 60 mA | 50 mA |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
出力構成 | Phototransistor | Phototransistor | Phototransistor | Phototransistor |
パッケージ/ケース | Module, PC Pins, Slot Type | PCB Mount | Slotted Module, 4-Lead Dual Row | PCB Mount |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | 30 V | 70 V | 35 V |
検出距離 | 0.125" (3.18mm) | 0.110" (2.8mm) | 3.1mm | 0.165' (4.2mm) |
運転温度 | -40°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -55°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C |
検出方法 | Through-Beam | Through-Beam | Through-Beam | Through-Beam |
パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
QVA21114 - onsemiのQVA21114 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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