NVMYS8D0N04CTWGの技術仕様
onsemi - NVMYS8D0N04CTWG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVMYS8D0N04CTWG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 30µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK4 (5x6) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.1mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 38W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-1023, 4-LFPAK | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 625 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta), 49A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NVMYS8 |
右側の三つのパーツはonsemi NVMYS8D0N04CTWGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVMYS8D0N04CTWG | NVMS4816NR2G | NVMS5P02R2G | NVMFSC0D9N04CL |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | - | 10V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 38W (Tc) | - | - | 4.1W (Ta), 166W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK4 (5x6) | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-DFN (5x6.15) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V | 9.2 nC @ 4.5 V | 35 nC @ 4.5 V | 86 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 30µA | 3V @ 250µA | 1.25V @ 250µA | 3.5V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 30 V | 20 V | 40 V |
| Vgs（最大） | ±20V | - | - | ±20V |
| 基本製品番号 | NVMYS8 | NVMS48 | NVMS5P02 | NVMFSC0 |
| パッケージ/ケース | SOT-1023, 4-LFPAK | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-PowerVDFN |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 625 pF @ 25 V | 1060 pF @ 25 V | 1900 pF @ 16 V | 6100 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta), 49A (Tc) | 6.8A (Ta) | 3.95A (Ta) | 50A (Ta), 316A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.1mOhm @ 15A, 10V | 10mOhm @ 9A, 10V | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V | 0.87mOhm @ 50A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
NVMYS8D0N04CTWG - onsemiのNVMYS8D0N04CTWG PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NVMS4816NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOICNVMJS2D5N06CLTWGONsemiNVMFWS3D0P04M8LT1GONsemiNVMS5P02R2GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOICNVMFSC0D9N04CLonsemiMOSFET N-CH 40V 50A/316A 8DFNNVMTS0D7N06CLTXGonsemiAFSM T6 60V LL NCHNVMTS0D4N04CTXGONsemiNVMYS2D9N04CLTWGonsemiMOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4NVMTS001N06CTXGONsemiNVMYS3D3N06CLTWGONsemiNVMYS025N06CLTWGONsemiNVMYS7D3N04CLTWGONsemiNVMFS6H864NT1GonsemiMOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFNNVMTS1D2N08HONsemiNVMJS1D7N04CTWGONsemiNVMTS0D4N04CLTXGONsemiNVMYS2D4N04CTWGONsemiNVMYS014N06CLTWGONsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。