NVMFS4C05NWFT1Gの技術仕様
onsemi - NVMFS4C05NWFT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVMFS4C05NWFT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.4mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.61W (Ta), 79W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1972 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24.7A (Ta), 116A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NVMFS4 |
右側の三つのパーツはonsemi NVMFS4C05NWFT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVMFS4C05NWFT1G | NVMFS4C03NWFT1G | NVMFS4841NWFT1G | NVMFS5113PLT1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| 電力消費（最大） | 3.61W (Ta), 79W (Tc) | 3.71W (Ta), 77W (Tc) | 3.7W (Ta), 112W (Tc) | 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.4mOhm @ 30A, 10V | 2.1mOhm @ 30A, 10V | 7mOhm @ 30A, 10V | 14mOhm @ 17A, 10V |
| 基本製品番号 | NVMFS4 | NVMFS4 | NVMFS4 | NVMFS5113 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 45.2 nC @ 10 V | 17 nC @ 4.5 V | 83 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1972 pF @ 15 V | 3071 pF @ 15 V | 1436 pF @ 12 V | 4400 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 60 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24.7A (Ta), 116A (Tc) | 31.4A (Ta), 143A (Tc) | 16A (Ta) | 10A (Ta), 64A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
NVMFS4C05NWFT1G - onsemiのNVMFS4C05NWFT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NVMFS4C03NWFT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFNNVMFS4841NWFT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 16A 5DFNNVMFS5113PLT1GonsemiMOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFNNVMFS4C03NWFT3GonsemiMOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFNNVMFS4C302NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFNNVMFS5832NLWFT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 21A 5DFNNVMFS4C05NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFNNVMFS4C03NT3GonsemiMOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFNNVMFS5826NLWFT3GonsemiMOSFET N-CH 60V 8A 5DFNNVMFS4C03NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFNNVMFS4C01NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFNNVMFS4C01NT3GonsemiMOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFNNVMFS4C05NWFT3GonsemiMOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFNNVMFS5826NLT1GonsemiMOSFET N-CH 60V 26A SO8FLNVMFS5830NLWFT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 29A 5DFNNVMFS5826NLWFT1GonsemiMOSFET N-CH 60V 8A 5DFNNVMFS4C05NT3GonsemiMOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFNNVMFS5832NLT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 120A SO8FL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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