NVMFD030N06CT1Gの技術仕様
onsemi - NVMFD030N06CT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVMFD030N06CT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 13µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 29.7mOhm @ 3A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 3.2W (Ta), 23W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 255pF @ 30V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.7nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta), 19A (Tc) | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | NVMFD030 |
右側の三つのパーツはonsemi NVMFD030N06CT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVMFD030N06CT1G | NVMFD5853NT1G | NVMFD5483NLT1G | NVMFD5853NWFT1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 255pF @ 30V | 1225pF @ 25V | 668pF @ 25V | 1225pF @ 25V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 29.7mOhm @ 3A, 10V | 10mOhm @ 15A, 10V | 36mOhm @ 15A, 10V | 10mOhm @ 15A, 10V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta), 19A (Tc) | 12A | 6.4A | 12A |
| 電力 - 最大 | 3.2W (Ta), 23W (Tc) | 3.1W | 3.1W | 3.1W |
| 基本製品番号 | NVMFD030 | NVMFD5853 | NVMFD5483 | NVMFD5853 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.7nC @ 10V | 24nC @ 10V | 23.4nC @ 10V | 24nC @ 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 40V | 60V | 40V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 13µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
NVMFD030N06CT1G - onsemiのNVMFD030N06CT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NVMFD5853NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFNNVMFD5483NLT1GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFNNVMFD5853NWFT1GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
NVMD6N04R2GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOICNVMFD5485NLT3GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8NVMFD5485NLT1GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8NVMFD5485NLWFT1GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8NVMFD5489NLWFT1GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8NVMFD5853NLWFT1GONsemiNVMD6P02R2GONsemiNVMFD5852NLWFT1GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FLNVMD3P03R2GONsemiNVMFD5489NLT1GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFNNVMFD5852NLT1GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FLNVMFD5485NLAMI Semiconductor/onsemiNVMD4N03R2GONsemiNVMFD5873NLT1GonsemiMOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FLNVMFD5853NLT1GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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