NVF3055-100T1Gの技術仕様
onsemi - NVF3055-100T1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVF3055-100T1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 (TO-261) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 1.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 455 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NVF3055 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NVF3055-100T1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVF3055-100T1G | NVF5P03T3G | NVF3055L108T1G | NVF6P02T3G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 455 pF @ 25 V | 950 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V | 1200 pF @ 16 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 (TO-261) | SOT-223 (TO-261) | SOT-223 (TO-261) | SOT-223 (TO-261) |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 5V | 2.5V, 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 30 V | 60 V | 20 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 15 nC @ 5 V | 20 nC @ 4.5 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 1.5A, 10V | 100mOhm @ 5.2A, 10V | 120mOhm @ 1.5A, 5V | 50mOhm @ 6A, 4.5V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) | 3.7A (Ta) | 3A (Ta) | 10A (Ta) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) | 1.56W (Ta) | 1.3W (Ta) | 8.3W (Ta) |
| 基本製品番号 | NVF3055 | NVF5P03 | NVF3055 | NVF6P02 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±15V | ±8V |
NVF3055-100T1G - onsemiのNVF3055-100T1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NVF5P03T3GonsemiMOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223NVF3055L108T1GonsemiMOSFET N-CH 60V 3A SOT223NVF6P02T3GonsemiMOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
NVF2955PT1G MOSAMI Semiconductor/onsemi
NVF29550N
NTLJS4149PTBGonsemiMOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFNNVF2955PT1GonsemiMOSFET P CH 60V 1.7A SOT223NVF3055L1080N
DMN2114SN-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
IRF3205ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A D2PAKNVF2201NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNVF3055L108T3GonsemiMOSFET N-CH 60V 3A SOT223
BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3NVF3055-1000NNVF2955T1GonsemiMOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
HUFA75637S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
IRFI9634GVishay SiliconixMOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
NVF2201NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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