NVD6415ANLT4Gの技術仕様
onsemi - NVD6415ANLT4G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVD6415ANLT4G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 83W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1024 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NVD641 |
右側の三つのパーツはonsemi NVD6415ANLT4Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVD6415ANLT4G | NVD5C464NLT4G | NVD5C446NT4G | NVD6416ANLT4G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | 10V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | 18A (Ta), 64A (Tc) | 22A (Ta), 105A (Tc) | 19A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | - | 40 V | 100 V |
| 基本製品番号 | NVD641 | NVD5C464 | NVD5C4 | NVD641 |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | - | DPAK | DPAK-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 83W (Tc) | - | 3.1W (Ta), 66W (Tc) | 71W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1024 pF @ 25 V | - | 2300 pF @ 25 V | 1000 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | - | 34.3 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 10A, 10V | - | 3.5mOhm @ 50A, 10V | 74mOhm @ 19A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
NVD6415ANLT4G - onsemiのNVD6415ANLT4G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NVD5C464NLT4GonsemiT6 40V DPAK EXPANSION ANDNVD5C446NT4GonsemiMOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAKNVD6416ANLT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 19A DPAKNVD5C668NLT4GonsemiMOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAKNVD6828NLT4Gonsemi8A, 90V, 0.031OHM, N-CHANNEL, MNVD5C454NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAKNVD5C684NLT4GonsemiMOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAKNVD5C454NLT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAKNVD6495NLT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 25A DPAKNVD6414ANT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 34A DPAKNVD5C460NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 18A/70A DPAKNVD5C464NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAKNVD5C486NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 9.2A/23A DPAKNVD5C648NLT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAKNVD6820NLT4GonsemiMOSFET N-CH 90V 10A/50A DPAKNVD6416ANT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 17A DPAK
NVD6416ANLT4GFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 19A DPAKNVDD5894NLT4GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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