NVD5413NT4Gの技術仕様
onsemi - NVD5413NT4G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVD5413NT4G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 68W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | - | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1725 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NVD541 |
右側の三つのパーツはonsemi NVD5413NT4Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVD5413NT4G | NVD5117PLT4G | NVD4815NT4G | NVD5807NT4G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | DPAK-3 | DPAK |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1725 pF @ 25 V | 4800 pF @ 25 V | 770 pF @ 12 V | 603 pF @ 25 V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| 電力消費（最大） | 68W (Tc) | 4.1W (Ta), 118W (Tc) | 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) | 33W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 20A, 10V | 16mOhm @ 29A, 10V | 15mOhm @ 30A, 10V | 31mOhm @ 5A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46 nC @ 10 V | 85 nC @ 10 V | 6.6 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | 11A (Ta), 61A (Tc) | 6.9A (Ta), 35A (Tc) | 23A (Tc) |
| 運転温度 | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 30 V | 40 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 11.5V | 4.5V, 10V |
| 基本製品番号 | NVD541 | NVD511 | NVD481 | NVD580 |
NVD5413NT4G - onsemiのNVD5413NT4G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NVD5117PLT4GonsemiMOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAKNVD4815NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK-3NVD5807NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 23A DPAKNVD5484NLAMI Semiconductor/onsemiNVD5484NLT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3NVD5806NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 33A DPAKNVD5407NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAKNVD4C05NAMI Semiconductor/onsemiNVD4804NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAKNVD5803NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 85A DPAKNVD5117PLT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNVD5117PLTAMI Semiconductor/onsemiNVD5802NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAKNVD5490NLT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK-3NVD4856NT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAKNVD5117PLT4G-VF01onsemiMOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAKNVD5805NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 51A DPAKNVD4806NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 76A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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