NVB082N65S3Fの技術仕様
onsemi - NVB082N65S3F技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVB082N65S3F仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK-3 (TO-263-3) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 82mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 313W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3410 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NVB082 |
右側の三つのパーツはonsemi NVB082N65S3Fと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVB082N65S3F | NVB110N65S3F | NVB25P06T4G | NVBG040N120SC1 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±15V | +25V, -15V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 650 V | 60 V | 1200 V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 82mOhm @ 20A, 10V | 110mOhm @ 15A, 10V | 82mOhm @ 25A, 10V | 56mOhm @ 35A, 20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 81 nC @ 10 V | 58 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 106 nC @ 20 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK-3 (TO-263-3) | D²PAK-3 (TO-263-3) | D²PAK | D2PAK-7 |
| 電力消費（最大） | 313W (Tc) | 240W (Tc) | 120W (Tj) | 357W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | 30A (Tc) | 27.5A (Ta) | 60A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | NVB082 | NVB110 | NVB25P | NVBG040 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3410 pF @ 400 V | 2560 pF @ 400 V | 1680 pF @ 25 V | 1789 pF @ 800 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | 5V @ 3mA | 4V @ 250µA | 4.3V @ 10mA |
NVB082N65S3F - onsemiのNVB082N65S3F PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NVB110N65S3FonsemiMOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3NVBG015N065SC1ONsemiNVBG160N120SC1ONsemiNVBLS1D1N08HONsemiNVB6410ANT4GONsemiNVB5860NLT4GONsemiNVB25P06T4GonsemiMOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAKNVBLS0D5N04CTXGONsemiNVB072N65S3ONsemiNVBG040N120SC1onsemiTRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7NVBA130P06AZT4HAMI Semiconductor/onsemi
ZVN3310ASTOADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 200MA E-LINENVBF170LT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNVBF170LT1GAMI Semiconductor/onsemi
SI4456DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 33A 8SONVB150N65S3FONsemi
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2NVB190N65S3FONsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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