NV25256MUW3VTBGの技術仕様
onsemi - NV25256MUW3VTBG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NV25256MUW3VTBG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 5ms | |
| 電源電圧 - | 1.8V ~ 5.5V | |
| 技術 | EEPROM | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-UDFN (2x3) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q100 | |
| パッケージ/ケース | 8-UFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Non-Volatile | |
| 記憶容量 | 256Kbit | |
| メモリ組織 | 32K x 8 | |
| メモリインタフェース | SPI | |
| メモリ形式 | EEPROM | |
| クロック周波数 | 10 MHz | |
| 基本製品番号 | NV25256 | |
| アクセス時間 | 40 ns |
右側の三つのパーツはonsemi NV25256MUW3VTBGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NV25256MUW3VTBG | BR9020RFV-WE2 | SST39VF512-70-4C-WHE | W631GU8KB-15 |
| メーカー | onsemi | Rohm Semiconductor | Microchip Technology | Winbond Electronics |
| アクセス時間 | 40 ns | - | 70 ns | 20 ns |
| 電源電圧 - | 1.8V ~ 5.5V | 2V ~ 5.5V | 2.7V ~ 3.6V | 1.283V ~ 1.45V |
| メモリ形式 | EEPROM | EEPROM | FLASH | DRAM |
| パッケージ/ケース | 8-UFDFN Exposed Pad | 8-LSSOP (0.173', 4.40mm Width) | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 78-TFBGA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray |
| 技術 | EEPROM | EEPROM | FLASH | SDRAM - DDR3L |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 5ms | 10ms | 20µs | - |
| クロック周波数 | 10 MHz | 2 MHz | - | 667 MHz |
| メモリインタフェース | SPI | SPI | Parallel | Parallel |
| メモリ組織 | 32K x 8 | 128 x 16 | 64K x 8 | 128M x 8 |
| 記憶容量 | 256Kbit | 2Kbit | 512Kbit | 1Gbit |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-UDFN (2x3) | 8-SSOP-B | 32-TSOP | 78-WBGA (10.5x8) |
| メモリタイプ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Volatile |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q100 | - | SST39 MPF™ | - |
| 基本製品番号 | NV25256 | BR9020 | SST39VF512 | W631GU8 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
NV25256MUW3VTBG - onsemiのNV25256MUW3VTBG PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
BR9020RFV-WE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SSOPBSST39VF512-70-4C-WHEMicrochip TechnologyIC FLASH 512KBIT PARALLEL 32TSOPW631GU8KB-15Winbond ElectronicsIC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
MT29F4G08ABAEAWP-IT:EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP INV24C08MUW3VLTBGonsemiIC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
NV24C64DWVLT3GonsemiIC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
IS45S16400J-7BLA2-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGANV24C256MUW3VTBGonsemiIC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
NV221-PANDSP
AT27C040-90PIMicrochip TechnologyIC EPROM 4MBIT PARALLEL 32DIP
S29GL512T11FHIV10Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
NV2955GAMI Semiconductor/onsemiNV24C32DWVLT3GonsemiIC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOICNV23KCZ0.57-DC12VS29GL256P90FAIR12Infineon TechnologiesIC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
AT25040A-10PI-1.8Microchip TechnologyIC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8DIPNV221CNDSPNV25640DWHFT3GONsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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