NTUD3170NZT5Gの技術仕様
onsemi - NTUD3170NZT5G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTUD3170NZT5G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-963 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 125mW | |
| パッケージ/ケース | SOT-963 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12.5pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 220mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | NTUD3170 |
右側の三つのパーツはonsemi NTUD3170NZT5Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTUD3170NZT5G | SI6926ADQ-T1-E3 | SI7252ADP-T1-GE3 | NTUD3127CT5G |
| メーカー | onsemi | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | onsemi |
| シリーズ | - | - | TrenchFET® | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 100V | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 220mA | 4.1A | 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) | 160mA, 140mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V | 18.6mOhm @ 10A, 10V | 3Ohm @ 100mA, 4.5V |
| 基本製品番号 | NTUD3170 | SI6926 | SI7252 | NTUD31 |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10.5nC @ 4.5V | 26.5nC @ 10V | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-963 | 8-TSSOP | PowerPAK® SO-8 Dual | SOT-963 |
| パッケージ/ケース | SOT-963 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | PowerPAK® SO-8 Dual | SOT-963 |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| 電力 - 最大 | 125mW | 830mW | 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) | 125mW |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12.5pF @ 15V | - | 1266pF @ 50V | 9pF @ 15V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA |
NTUD3170NZT5G - onsemiのNTUD3170NZT5G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
SI6926ADQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOPSI7252ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFENTUD3127CT5GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT-963
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
SI4500BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOICSI4511DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
FDW2508PBonsemiMOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOPSI7998DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
NTZD3154NT1HonsemiMOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563-6NTUD3170NZAMI Semiconductor/onsemiNVMFD5C478NT1Gonsemi40V 17 MOHM T6 S08FL DUALNTUD3128NT5GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.16A SOT-963NTUD3174NZT5GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
SSM6N37FU,LFToshiba Semiconductor and StorageMOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6NTUD3171PZT5GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963NTUD3169CZT5GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT963NTUD3169CZONsemiIPG15N06S3L-45Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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