NTTFS4932NTAGの技術仕様
onsemi - NTTFS4932NTAG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTTFS4932NTAG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 850mW (Ta), 43W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3111 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 79A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTTFS4932 |
右側の三つのパーツはonsemi NTTFS4932NTAGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTTFS4932NTAG | NTTFS4943NTAG | NTTFS4929NTAG | NTTFS4937NTWG |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3111 pF @ 15 V | 1386 pF @ 15 V | 920 pF @ 15 V | 2540 pF @ 15 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46.5 nC @ 10 V | 20.4 nC @ 10 V | 8.8 nC @ 4.5 V | 35.5 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 850mW (Ta), 43W (Tc) | 840mW (Ta), 22.3W (Tc) | 810mW (Ta), 22.3W (Tc) | 860mW (Ta), 43.1W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4mOhm @ 20A, 10V | 7.2mOhm @ 20A, 10V | 11mOhm @ 10A, 10V | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | NTTFS4932 | NTTFS4 | NTTFS4929 | NTTFS4937 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 79A (Tc) | 8A (Ta), 41A (Tc) | 6.6A (Ta), 34A(Tc) | 11A (Ta), 75A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
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NTTFS4943NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFNNTTFS4929NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFNNTTFS482NAMI Semiconductor/onsemiNTTFS4937NTWGonsemiMOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFNNTTFS4928NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFNNTTFS4930NAMI Semiconductor/onsemiNTTFS4840NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN
NTTFS4930NTAGFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7NTTFS4939NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFNNTTFS4937NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFNNTTFS4945NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFNNTTFS4928NAMI Semiconductor/onsemiNTTFS4930NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFNNTTFS4C02NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 170A 8WDFNNTTFS4941NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFNNTTFS4928NTWGonsemiMOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFNNTTFS4C025NTAGonsemiNFET U8FL 30V 65A 6.1MOHNTTFS4985NFTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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