NTTFS1D8N02P1Eの技術仕様
onsemi - NTTFS1D8N02P1E技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTTFS1D8N02P1E仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 700µA | |
| Vgs（最大） | +16V, -12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 800mW (Ta), 48W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3159 pF @ 13 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta), 152A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTTFS1 |
右側の三つのパーツはonsemi NTTFS1D8N02P1Eと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTTFS1D8N02P1E | NTTD4401FR2G | NTTFS3A08PZTWG | NTTFS1D2N02P1E |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 30A, 10V | 90mOhm @ 3.3A, 4.5V | 6.7mOhm @ 12A, 4.5V | 1mOhm @ 38A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3) | 8-MSOP | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-PQFN (3.3x3.3) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 20 V | 20 V | 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 700µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2V @ 934µA |
| 電力消費（最大） | 800mW (Ta), 48W (Tc) | 780mW (Ta) | 840mW (Ta) | 820mW (Ta), 52W (Tc) |
| シリーズ | - | FETKY™ | - | - |
| Vgs（最大） | +16V, -12V | ±10V | ±8V | +16V, -12V |
| 基本製品番号 | NTTFS1 | NTTD44 | NTTFS3 | NTTFS1 |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | Schottky Diode (Isolated) | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3159 pF @ 13 V | 750 pF @ 16 V | 5000 pF @ 10 V | 4040 pF @ 13 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | 18 nC @ 4.5 V | 56 nC @ 4.5 V | 24 nC @ 4.5 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta), 152A (Tc) | 2.4A (Ta) | 9A (Ta) | 23A (Ta), 180A (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
NTTFS1D8N02P1E - onsemiのNTTFS1D8N02P1E PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTTD4401FR2GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8NTTFS4821NTAMI Semiconductor/onsemiNTTFS015P03P8ZTAGONsemiNTTFD4D0N04HLTWGONsemiNTTFS3A08PZTWGonsemiMOSFET P-CH 20V 9A 8WDFNNTTFS115P10M5ONsemiNTTFS3A08PZAMI Semiconductor/onsemiNTTFS1D2N02P1EonsemiMOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFNNTTFS2D1N04HLTWGONsemiNTTFS3A08PZTAGonsemiMOSFET P-CH 20V 9A 8WDFNNTTFD2D8N03P1EonsemiMOSFET N-CH 30V 12WQFNNTTFS008P03P8ZONsemiNTTFS4800NTWGonsemiMOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFNNTTF4821NTAGAMI Semiconductor/onsemiNTTFS4821NAMI Semiconductor/onsemiNTTFS4800NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFNNTTFS012N10MDTAGonsemiPTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8NTTFS4821NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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