NTR1P02LT1Gの技術仕様
onsemi - NTR1P02LT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTR1P02LT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.25V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 220mOhm @ 750mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 400mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225 pF @ 5 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.5 nC @ 4 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NTR1P02 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTR1P02LT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTR1P02LT1G | NTR1P02LT1H | NTR0202PLT1G | NTR0202PLT3G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A (Ta) | - | 400mA (Ta) | 400mA (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±12V | - | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | P-Channel | - | P-Channel | P-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225 pF @ 5 V | - | 70 pF @ 5 V | 70 pF @ 5 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 220mOhm @ 750mA, 4.5V | - | 800mOhm @ 200mA, 10V | 800mOhm @ 200mA, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.5 nC @ 4 V | - | 2.18 nC @ 10 V | 2.18 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | - | 20 V | 20 V |
| シリーズ | - | * | - | - |
| 基本製品番号 | NTR1P02 | - | NTR0202 | NTR020 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | - | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.25V @ 250µA | - | 2.3V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 400mW (Ta) | - | 225mW (Ta) | 225mW (Ta) |
NTR1P02LT1G - onsemiのNTR1P02LT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTR1P02LT1HonsemiSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSINTR1P02LAMI Semiconductor/onsemiNTR2101NT1GAMI Semiconductor/onsemi
NTR2101PSIPUSEMINTR0202PLT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3NTR10B4991CTRFNICCOMPNTR0202PLT3GonsemiMOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
NTR04D2003CTRFBourns, Inc.NTR1P02LT1G-001AMI Semiconductor/onsemiNTR1P02T1onsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
NTR1P02LT1GFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSINTR1P02LT1onsemiMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23NTR1P02AMI Semiconductor/onsemiNTR1P02T1GonsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3NTR06B1503BTRFNICNTR1P02LT3GonsemiMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3NTR2101PT1onsemiMOSFET P-CH 8V 3.7A SOT23-3NTR1P02T3GonsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。