画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
NTP5860NG - onsemi
- メーカー 部品型番
- NTP5860NG
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-NTP5860NG
- ECADモデル
- モデルの説明
- SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- データシート
- Nxx5860N.pdf
- 在庫あり: 11709
NTP5860NGの技術仕様
onsemi - NTP5860NG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTP5860NG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 283W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10760 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 220A (Tc) |
右側の三つのパーツはonsemi NTP5860NGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTP5860NG | NTP60N06 | NTP5412NG | NTP5D0N15MC |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | PowerTrench® |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 532µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10760 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V | 6300 pF @ 75 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 220A (Tc) | 60A (Ta) | 60A (Tc) | 15A (Ta), 139A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 75A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V | 5mOhm @ 97A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V | 85 nC @ 0 V | 75 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 283W (Tc) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) | 125W (Tc) | 2.4W (Ta), 214W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 150 V |
NTP60N06onsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
NTP53121G0JHKZNXP USA Inc.RFID NTAG5 XQFNNTP5412NGonsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABNTP5D0N15MConsemiMOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220NTP52N10GonsemiMOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
NTP53121G0JHKFreescale / NXP SemiconductorsNTP5411NGonsemiMOSFET N-CH 60V 80A TO220ABNTP5864NGonsemiMOSFET N-CH 60V 63A TO220ABNTP52N10onsemiMOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
NTP5864NAMI Semiconductor/onsemiNTP5404NRGonsemiMOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220ABNTP5863NAMI Semiconductor/onsemiNTP5426NGonsemiMOSFET N-CH 60V 120A TO220ABNTP5863NGonsemiMOSFET N-CH 60V 97A TO220ABNTP5860NLGonsemiMOSFET N-CH 60V 220A TO220ABNTP5860NLVBsemiNTP60N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABNTP53321G0JHKZNXP Semiconductors| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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