NTMS10P02R2Gの技術仕様
onsemi - NTMS10P02R2G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTMS10P02R2G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 10A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.6W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3640 pF @ 16 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.8A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NTMS10 |
右側の三つのパーツはonsemi NTMS10P02R2Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTMS10P02R2G | NTMFS6H848NT1G | NTMS4177PR2G | NTMS4107NR2G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 10A, 4.5V | 9.4mOhm @ 10A, 10V | 12mOhm @ 11.4A, 10V | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3640 pF @ 16 V | 1180 pF @ 40 V | 3100 pF @ 24 V | 6000 pF @ 15 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 80 V | 30 V | 30 V |
| 電力消費（最大） | 1.6W (Ta) | 3.7W (Ta), 73W (Tc) | 840mW (Ta) | 930mW (Ta) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.8A (Ta) | 13A (Ta), 57A (Tc) | 6.6A (Ta) | 11A (Ta) |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 4V @ 70µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 4.5 V | 16 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 45 nC @ 4.5 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±12V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | NTMS10 | NTMFS6 | NTMS41 | NTMS41 |
NTMS10P02R2G - onsemiのNTMS10P02R2G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTMFS6H848NT1GonsemiMOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFNNTMS4107NR2AMI Semiconductor/onsemiNTMS4177PR2GonsemiMOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOICNTMS4107NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 11A 8SOICNTMS3P03R2GonsemiMOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOICNTMFS6H801NT1GonsemiMOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFNNTMS10P02R2G MOSAMI Semiconductor/onsemi
NTMP2014-1HOLINEAREKNTMP2012A-1HOLINEAREKNTMFS6H836NLT1GonsemiMOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFNNTMS10P02R2onsemiMOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOICNTMFSC0D9N04CLonsemiMOSFET N-CH 40V 8PQFNNTMS4177PAMI Semiconductor/onsemiNTMFS6H864NLT1GonsemiMOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFNNTMP2012-1HOLTEKNTMS4176PR2GonsemiMOSFET P-CH 30V 5.5A 8SOICNTMS3P03R2onsemiMOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOICNTMP2012-3HOLINEAREK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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