NTMFS4C50NT3Gの技術仕様
onsemi - NTMFS4C50NT3G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTMFS4C50NT3G仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | |
技術 | - | |
サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | |
電力消費(最大) | - | |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | Surface Mount | |
FETタイプ | - | |
FET特長 | - | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21.7A (Ta) | |
基本製品番号 | NTMFS4 |
右側の三つのパーツはonsemi NTMFS4C50NT3Gと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | NTMFS4C50NT3G | NTMFS4C290NT1G | NTMFS4C705NT1G | NTMFS4H013NFT1G |
メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | 2.2V @ 250µA | - | 2.1V @ 250µA |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | - | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
技術 | - | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
電力消費(最大) | - | 750mW (Ta) | - | 2.7W (Ta), 104W (Tc) |
FET特長 | - | - | - | - |
運転温度 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) |
シリーズ | - | - | * | - |
サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
基本製品番号 | NTMFS4 | NTMFS4 | NTMFS4 | NTMFS4 |
FETタイプ | - | N-Channel | - | N-Channel |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | 6.95mOhm @ 30A, 10V | - | 0.9mOhm @ 30A, 10V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21.7A (Ta) | 8.2A (Ta), 46A (Tc) | - | 43A (Ta), 269A (Tc) |
NTMFS4C50NT3G - onsemiのNTMFS4C50NT3G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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