NTMFS4C08NAT1Gの技術仕様
onsemi - NTMFS4C08NAT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTMFS4C08NAT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.8mOhm @ 18A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1670 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.2 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16.4A (Ta), 52A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTMFS4 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTMFS4C08NAT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTMFS4C08NAT1G | NTMFS4C05NAT1G | NTMFS4C06NT1G | NTMFS4C03NT1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | NTMFS4 | NTMFS4 | NTMFS4 | NTMFS4 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 電力消費（最大） | 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) | 2.57W (Ta), 33W (Tc) | 770mW (Ta), 30.5W (Tc) | 3.1W (Ta), 64W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.8mOhm @ 18A, 10V | 3.4mOhm @ 30A, 10V | 4mOhm @ 30A, 10V | 2.1mOhm @ 30A, 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.2 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 45.2 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16.4A (Ta), 52A (Tc) | 21.7A (Ta), 78A (Tc) | 11A (Ta), 69A (Tc) | 30A (Ta), 136A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1670 pF @ 15 V | 1972 pF @ 15 V | 1683 pF @ 15 V | 3071 pF @ 15 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
NTMFS4C08NAT1G - onsemiのNTMFS4C08NAT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTMFS4C05NAT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFNNTMFS4C06NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFNNTMFS4C03NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFNNTMFS4C09NAT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFNNTMFS4C08NT1AMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C06NAMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C08NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C09NBT1GonsemiMOSFET N-CH 30V SO8FLNTMFS4C08NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFNNTMFS4C05NT1G-001onsemiMOSFET N-CH 30V 11.9A/78A 5DFNNTMFS4C06NBT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFNNTMFS4C09NAT1G-01AMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C10NONsemiNTMFS4C06NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C09NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 9A 5DFNNTMFS4C05NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFNNTMFS4C06NT3GonsemiMOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFNNTMFS4C09NONsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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