NTMFD4C86NT3Gの技術仕様
onsemi - NTMFD4C86NT3G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTMFD4C86NT3G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.4mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.1W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1153pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22.2nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.3A, 18.1A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| 基本製品番号 | NTMFD4 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTMFD4C86NT3Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTMFD4C86NT3G | NTMFD5C674NLT1G | NTMFD4C20NT1G | NTMFD4C86NT1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| 電力 - 最大 | 1.1W | 3W (Ta), 37W (Tc) | 1.09W, 1.15W | 1.1W |
| 基本製品番号 | NTMFD4 | NTMFD5 | NTMFD4 | NTMFD4 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 25µA | 2.1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| シリーズ | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) | 8-DFN (5x6) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1153pF @ 15V | 640pF @ 25V | 970pF @ 15V | 1153pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22.2nC @ 10V | 10nC @ 10V | 9.3nC @ 4.5V | 22.2nC @ 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.4mOhm @ 30A, 10V | 14.4mOhm @ 10A, 10V | 7.3mOhm @ 10A, 10V | 5.4mOhm @ 30A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 60V | 30V | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.3A, 18.1A | 11A (Ta), 42A (Tc) | 9.1A, 13.7A | 11.3A, 18.1A |
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NTMFD4H088NFT1GAMI Semiconductor/onsemiNTMFS005P03P8ZT1GONsemiNTMFD4C85NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMFD4C86NFT1GAMI Semiconductor/onsemiNTMFD5C674NLT1GonsemiT6 60V LL S08FL DSNTMFD4C20NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V SO8FLNTMFS005N10MCLT1GONsemiNTMFD4H089NFT1GAMI Semiconductor/onsemiNTMFD4C50NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DLNTMFD4C85NAMI Semiconductor/onsemiNTMFD4C86NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8DFNNTMFD4C85NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8DFNNTMFD5C650NLT1GONsemiNTMFD4C86NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMFS006N12MCT1GONsemiNTMFD4C87NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8DFNNTMFS002P03P8ZT1GonsemiMOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SONTMFD4902NFT3GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8DFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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