NTMD3P03R2Gの技術仕様
onsemi - NTMD3P03R2G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTMD3P03R2G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 3.05A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 730mW | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 750pF @ 24V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.34A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | NTMD3 |
右側の三つのパーツはonsemi NTMD3P03R2Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTMD3P03R2G | NTMD3N08LR2 | NTMC083NP10M5L | NTMD2C02R2G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | N and P-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 80V | 100V | 20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 3.05A, 10V | 215mOhm @ 2.5A, 10V | 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V | 43mOhm @ 4A, 4.5V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.34A | 2.3A | 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc) | 5.2A, 3.4A |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 750pF @ 24V | 480pF @ 25V | 222pF @ 50V, 525pF @ 50V | 1100pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 730mW | 3.1W | 1.6W (Ta), 3.1W (Tc) | 2W |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | - | 1.2V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | NTMD3 | NTMD3 | NTMC083 | NTMD2C |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25nC @ 10V | 15nC @ 10V | 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V | 20nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
NTMD3P03R2G - onsemiのNTMD3P03R2G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTMD3N08LR2onsemiMOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOICNTMD4840NAMI Semiconductor/onsemiNTMC083NP10M5LonsemiNTMC083NP10M5LNTMD2C02R2GonsemiMOSFET N/P-CH 20V 8SOICNTMD2C02R2onsemiMOSFET N/P-CH 20V 8SOICNTMD4184PFR2GonsemiDUAL P-CHANNEL FETKY POWER MOSFENTMC1300R2onsemiMOSFET N/P-CH 30V 8SOICNTMD4820NR2G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMD4820NAMI Semiconductor/onsemi
NTM3906NECNTMD3N03MOTNTMD4820NR2GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOICNTMD2P01R2GonsemiMOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOICNTMD4184PAMI Semiconductor/onsemiNTMD3N08LR2GVBSEMINTMD4102PR2GVBSEMINTMD4840NRAMI Semiconductor/onsemi
NTMD3P03R2onsemiMOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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