NTLJF4156NT1Gの技術仕様
onsemi - NTLJF4156NT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTLJF4156NT1G仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±8V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 70mOhm @ 2A, 4.5V | |
電力消費(最大) | 710mW (Ta) | |
パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 427 pF @ 15 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A (Tj) | |
基本製品番号 | NTLJF4156 |
右側の三つのパーツはonsemi NTLJF4156NT1Gと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | NTLJF4156NT1G | NTLJS17D0P03P8ZTAG | NTLJF3117PT1G | NTLJS2103PTAG |
メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
基本製品番号 | NTLJF4156 | NTLJS17 | NTLJF3117 | NTLJS21 |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) | 6-PQFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) |
シリーズ | - | - | µCool™ | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | 6-PowerWDFN | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 1.2V, 4.5V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 427 pF @ 15 V | 1600 pF @ 15 V | 531 pF @ 10 V | 1157 pF @ 6 V |
Vgs(最大) | ±8V | ±25V | ±8V | ±8V |
FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V | 38 nC @ 10 V | 6.2 nC @ 4.5 V | 15 nC @ 4.5 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A (Tj) | 7A (Ta) | 2.3A (Ta) | 3.5A (Ta) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 70mOhm @ 2A, 4.5V | 11.3mOhm @ 10A, 10V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 800mV @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
電力消費(最大) | 710mW (Ta) | 860mW (Ta) | 710mW (Ta) | 700mW (Ta) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 30 V | 20 V | 12 V |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | - | Schottky Diode (Isolated) | - |
NTLJF4156NT1G - onsemiのNTLJF4156NT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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