NTJD2152PT1Gの技術仕様
onsemi - NTJD2152PT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTJD2152PT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 570mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 270mW | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225pF @ 8V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 775mA | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | NTJD21 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTJD2152PT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTJD2152PT1G | NTJD4105CT1G | NTJD4001NT1G | NTJD4152PT1 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8V | 20V, 8V | 30V | 20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | NTJD21 | NTJD4105 | NTJD4001 | NTJD4152 |
| 電力 - 最大 | 270mW | 270mW | 272mW | 272mW |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4nC @ 4.5V | 3nC @ 4.5V | 1.3nC @ 5V | 2.2nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225pF @ 8V | 46pF @ 20V | 33pF @ 5V | 155pF @ 20V |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 570mA, 4.5V | 375mOhm @ 630mA, 4.5V | 1.5Ohm @ 10mA, 4V | 260mOhm @ 880mA, 4.5V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 100µA | 1.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 775mA | 630mA, 775mA | 250mA | 880mA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
NTJD2152PT1G - onsemiのNTJD2152PT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTJD1155LAMI Semiconductor/onsemiNTJD4105CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363NTJD4001NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363NTJD4152PT1onsemiMOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363NTJD2152PT2GonsemiMOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363NTJD4105CT2GonsemiMOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363NTJD4152P1GAMI Semiconductor/onsemiNTJD4105CAMI Semiconductor/onsemiNTJD4001NAMI Semiconductor/onsemiNTJD3158CT2GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SC88-6NTJD4105CT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTJD4105CT2G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTJD2152PT1onsemiMOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363NTJD4105CT1AMI Semiconductor/onsemiNTJD1155LT1GonsemiMOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363NTJD4105CT2onsemiMOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363NTJD4152PAMI Semiconductor/onsemiNTJD3158CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT-363| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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