NTHL040N65S3Fの技術仕様
onsemi - NTHL040N65S3F技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTHL040N65S3F仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 6.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | SuperFET® III | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 32.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 446W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5940 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 158 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTHL040 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTHL040N65S3Fと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTHL040N65S3F | NTHL040N120SC1 | NTHD5904NT1G | NTHD5904NT1 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5940 pF @ 400 V | 1781 pF @ 800 V | 465 pF @ 16 V | 465 pF @ 16 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) | 60A (Tc) | 2.5A (Ta) | 2.5A (Ta) |
| 基本製品番号 | NTHL040 | NTHL040 | NTHD59 | NTHD59 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 32.5A, 10V | 56mOhm @ 35A, 20V | 65mOhm @ 3.3A, 4.5V | 65mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs（最大） | ±30V | +25V, -15V | ±8V | ±8V |
| シリーズ | SuperFET® III | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 6.5mA | 4.3V @ 10mA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 1200 V | 20 V | 20 V |
| 電力消費（最大） | 446W (Tc) | 348W (Tc) | 640mW (Ta) | 640mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247-3 | ChipFET™ | ChipFET™ |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 20V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 158 nC @ 10 V | 106 nC @ 20 V | 6 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 4.5 V |
NTHL040N65S3F - onsemiのNTHL040N65S3F PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTHL040N120SC1onsemiSICFET N-CH 1200V 60A TO247-3NTHL160N120SC1ONsemiNTHL080N120SC1ONsemiNTHD5904NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFETNTHL041N60S5HONsemiNTHD5904NT1onsemiMOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFETNTHL080N120SC1AONsemiNTHL027N65S3HFONsemiNTHL060N090SC1ONsemiNTHL082N65S3FONsemiNTHL033N65S3HFonsemiMOSFET N-CH 650V 70A TO247-3NTHL040N65S3HFONsemiNTHD5905T1onsemiMOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFETNTHD5903T1onsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFETNTHD5903T1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFETNTHL020N090SC1ONsemiNTHL065N65S3FONsemiNTHL050N65S3HFONsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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