NTHD4N02FT1Gの技術仕様
onsemi - NTHD4N02FT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTHD4N02FT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ChipFET™ | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 910mW (Tj) | |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A (Tj) | |
| 基本製品番号 | NTHD4N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTHD4N02FT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTHD4N02FT1G | NTHD4P02FT1 | NTHD4N02FT1 | NTHD4P02FT1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | ChipFET™ | - | ChipFET™ | ChipFET™ |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | - | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | - | 20 V | 20 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | - | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | 155mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | - | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300 pF @ 10 V | - | 300 pF @ 10 V | 300 pF @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | - | N-Channel | P-Channel |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | - | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | - | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| 基本製品番号 | NTHD4N | NTHD4P | NTHD4N | NTHD4 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A (Tj) | - | 2.9A (Tj) | 2.2A (Tj) |
| 電力消費（最大） | 910mW (Tj) | - | 910mW (Tj) | 1.1W (Tj) |
| Vgs（最大） | ±12V | - | ±12V | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4 nC @ 4.5 V | - | 4 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 4.5 V |
NTHD4N02FT1G - onsemiのNTHD4N02FT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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