画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
NTHD3100CT1 - onsemi
- メーカー 部品型番
- NTHD3100CT1
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-NTHD3100CT1
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
- 詳細な説明
- パッケージ
- 8-SMD, Flat Lead
- データシート
- NTHD3100C.pdf
- 在庫あり: 4720
NTHD3100CT1の技術仕様
onsemi - NTHD3100CT1技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTHD3100CT1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ChipFET™ | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 1.1W | |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 165pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.3nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A, 3.2A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | NTHD3100 |
右側の三つのパーツはonsemi NTHD3100CT1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTHD3100CT1 | NTHC5513T1G | NTHC5513T1 | NTHD3100CT1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| サプライヤデバイスパッケージ | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 165pF @ 10V | 180pF @ 10V | 180pF @ 10V | 165pF @ 10V |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A, 3.2A | 2.9A, 2.2A | 2.9A, 2.2A | 2.9A, 3.2A |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.3nC @ 4.5V | 4nC @ 4.5V | 4nC @ 4.5V | 2.3nC @ 4.5V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | 20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| 基本製品番号 | NTHD3100 | NTHC5513 | NTHC5513 | NTHD3100 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電力 - 最大 | 1.1W | 1.1W | 1.1W | 1.1W |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
NTHD3100CT1 - onsemiのNTHD3100CT1 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTHC5513T1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V CHIPFETNTHC5513T1onsemiMOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
NTH5G39B332K01TEMurata Power SolutionsNTHD3100CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
NTHD310FT1GAMI Semiconductor/onsemiNTHD2102PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFETNTHD3102CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
NTHA3HB-1.5440-E(T)Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)NTHD3103FT1GAMI Semiconductor/onsemiNTHD3133PFT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFETNTHD4102PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFETNTHD3101FT1AMI Semiconductor/onsemiNTHD3101FT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFETNTH5G2M36B103J04TEMurata Power Solutions
NTHA8HC-60.000N/ANTHD4102PT1AMI Semiconductor/onsemiNTHD2102PT1onsemiMOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFETNTH5G2M41B683J04TEMurata Power Solutions| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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