NTDV20P06LT4G-VF01の技術仕様
onsemi - NTDV20P06LT4G-VF01技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTDV20P06LT4G-VF01仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 7.5A, 5V | |
| 電力消費（最大） | 65W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1190 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15.5A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTDV20P06LT4G-VF01と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTDV20P06LT4G-VF01 | NTD85N02R-001 | NTDV20N06LT4G | NTD95N02RG |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15.5A (Tc) | 12A (Ta), 85A (Tc) | 20A (Ta) | 12A (Ta), 32A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1190 pF @ 25 V | 2050 pF @ 20 V | 990 pF @ 25 V | 2400 pF @ 20 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | I-PAK | DPAK | DPAK |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 7.5A, 5V | 5.2mOhm @ 20A, 10V | 48mOhm @ 10A, 5V | 5mOhm @ 20A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 24 V | 60 V | 24 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±15V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 65W (Tc) | 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) | 1.36W (Ta), 60W (Tj) | 1.25W (Ta), 86W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | 4.5V, 10V | 5V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 5 V | 17.7 nC @ 5 V | 32 nC @ 5 V | 21 nC @ 4.5 V |
NTD85N02R-001onsemiMOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAKNTD85N02RT4G 85N02GAMI Semiconductor/onsemiNTDV20N06LT4GonsemiSINGLE N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWNTD95N02RGonsemiMOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAKNTD95N02RT4GonsemiMOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK
NTDV3055L104T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 12A DPAKNTD95N02RT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD85N02-1GAMI Semiconductor/onsemiNTD85N02RT4GonsemiMOSFET N-CH 24V 12A/85A DPAKNTDV2955PT4GonsemiMOSFET P-CH 60V 12A DPAKNTD85N02R-1GonsemiMOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAKNTDV5804NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 69A DPAKNTD95N02RonsemiMOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAKNTD85N02RT4onsemiMOSFET N-CH 24V 12A/85A DPAKNTD85N02GAMI Semiconductor/onsemiNTD9N05CLT4AMI Semiconductor/onsemiNTD85N02RT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTDV20P06LT4GonsemiMOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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