NTD78N03-35Gの技術仕様
onsemi - NTD78N03-35G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTD78N03-35G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 78A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Ta), 64W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2250 pF @ 12 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.4A (Ta), 78A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTD78 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTD78N03-35Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTD78N03-35G | NTD80N02 | NTD78N03G | NTD80N02-001 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 78A, 10V | 5.8mOhm @ 80A, 10V | 6mOhm @ 78A, 10V | 5.8mOhm @ 80A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 基本製品番号 | NTD78 | NTD80 | NTD78 | NTD80 |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 24 V | 25 V | 24 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.4A (Ta), 78A (Tc) | 80A (Tc) | 11.4A (Ta), 78A (Tc) | 80A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | 42 nC @ 4.5 V | 35 nC @ 4.5 V | 42 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Ta), 64W (Tc) | 75W (Tc) | 1.4W (Ta), 64W (Tc) | 75W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak | DPAK | DPAK | I-PAK |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2250 pF @ 12 V | 2600 pF @ 20 V | 2250 pF @ 12 V | 2600 pF @ 20 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
NTD78N03-35G - onsemiのNTD78N03-35G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTD70N03AMI Semiconductor/onsemiNTD80N02onsemiMOSFET N-CH 24V 80A DPAKNTD78N03GonsemiMOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAKNTD80N02-001onsemiMOSFET N-CH 24V 80A IPAKNTD70N03R-1GonsemiMOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAKNTD70N03R-1onsemiN-CHANNEL POWER MOSFETNTD70N03RT4onsemiMOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAKNTD78N03R-1GonsemiN-CHANNEL POWER MOSFETNTD78N03G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD78N03R-1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD70N03RT4 MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD70N03R-001onsemiMOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAKNTD70N03RGonsemiMOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAKNTD78N03RT4GAMI Semiconductor/onsemiNTD78N03T4GonsemiMOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAKNTD70N03RT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAKNTD70N03RonsemiMOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAKNTD78N03RGonsemiN-CHANNEL POWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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