NTD5867NL-1Gの技術仕様
onsemi - NTD5867NL-1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTD5867NL-1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 39mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 36W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 675 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTD58 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTD5867NL-1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTD5867NL-1G | NTD5865NL-1G | NTD5867NLT4G | NTD60N02R |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 46A (Tc) | 20A (Tc) | 8.5A (Ta), 32A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 14 nC @ 4.5 V |
| 電力消費（最大） | 36W (Tc) | 71W (Tc) | 36W (Tc) | 1.25W (Ta), 58W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 39mOhm @ 10A, 10V | 16mOhm @ 20A, 10V | 39mOhm @ 10A, 10V | 10.5mOhm @ 20A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | I-PAK | DPAK | DPAK |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 675 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V | 675 pF @ 25 V | 1330 pF @ 20 V |
| 基本製品番号 | NTD58 | NTD58 | NTD5867 | NTD60 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 25 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | - | - | - |
NTD5867NL-1G - onsemiのNTD5867NL-1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTD5865NL-1GonsemiMOSFET N-CH 60V 46A IPAK
NTD5867NT4GAMI Semiconductor/onsemiNTD5867NLT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 20A DPAKNTD5C684NLT4GAMI Semiconductor/onsemiNTD60N02RonsemiMOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAKNTD60N02AMI Semiconductor/onsemiNTD5867NLAMI Semiconductor/onsemiNTD5867N LT4GAMI Semiconductor/onsemiNTD5865NT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 43A DPAKNTD5862NT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD5P06VAMI Semiconductor/onsemiNTD5865NLAMI Semiconductor/onsemi
NTD5865N-1GonsemiMOSFET N-CH 60V 43A DPAKNTD5865NLGAMI Semiconductor/onsemiNTD60N02KGAMI Semiconductor/onsemiNTD5865NLT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 46A DPAKNTD5867NLGAMI Semiconductor/onsemiNTD5867NLT4G 5867NLGAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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